IPRI - www.ipri.kiev.ua -  IPRI - www.ipri.kiev.ua -
Раздел [RUS]
Регистрация, хранение и обраб. данных. — 2013. — Т. 15, № 4.
[UKR]
Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2013. — Т. 15, № 4.
[ENG]
Data Rec., Storage & Processing. — 2013. — Vol. 15, N 4.
Страницы 3–12
PDF, full text
Заглавие [RUS]
Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se
[UKR]
Оптичний запис мікро- та нанорозмірних рельєфних структур на неорганічних резистах Ge-Se
[ENG]
Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
Авторы [RUS]
Индутный И. 3., Крючин А. А., Бородин Ю. А., Данько В. А., Луканюк М. В., Минько В. И., Шепелявый П. Е., Гера Э. В., Рубиш В. М.
[UKR]
Індутний І.З., Крючин А.А., Бородін Ю.О., Данько В.А., Луканюк М.В., Минько В.І., Шепелявий П.Є., Гера Е.В., Рубіш В.М.
[ENG]
Indutny I.Z., Kryuchyn A.A., Borodin Yu.A., Danko V.A., Lukanyuk M.V., Minko V.I., Shepelyavyi P.E., Gera E.V., Rubish V.M.
Аннотация [RUS]
Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорелъефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge-Se. Показано, что микрорелъефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фоторезистах состава GeSe3. Увеличение содержания германия (исследовался состав GeSe2) не позволяет получать микрорелъефные структуры с глубиной рельефа, необходимой для изготовления дисков-оригиналов, используемых в производстве DVD и BD компакт-дисков. Пленки с высоким со-держанием Se (GeSe8) характеризуются наличием кристаллических включений и не могут быть использованы для получения микрорелъефных структур при записи информации на диски-оригиналы.
[UKR]
Представлено результати експериментальних досліджень по запису мікрорельєфних структур сфокусованим лазерним випромінюванням з довжиною хвилі 405 нм на плівках неорганічних фоторезистів системи Ge-Se. Показано, що мікрорельєфні структури глибиною 100 нм можуть бути отримані на неорганічних фоторезистах складу GeSe3. Збільшення вмісту германію (досліджувався склад GeSe2) не дозволяє отримувати мікрорельєфні структури з глибиною рельєфу, необхідною для виготовлення дисків-оригіналів, які використовуються у виробництві DVD і BD компакт-дисків. Плівки з високим вмістом Se (GeSe8) характеризуються наявністю кристалічних включень і не можуть бути використані для отримання мікрорельєфних структур при запису інформації на диски-оригінали. Табл.: 2. Іл.: 4. Бібліогр.: 19 найм.
[ENG]
The results of experimental studies on recording of microrelief structures using a focused laser radiation with a wavelength of 405 nm to photoresist films of inorganic system Ge-Se have been presented. It is shown that the microrelief structures having depth of 100 nm can be obtained on the inorganic photoresists of GeSe3. Increase of the germanium content (when studied composition GeSe2) did not allow getting the microrelief structures with depth required for the manufacture of master disks used in the manufacturing of DVD and BD disks. The films with a high content of Se (GeSe8) are characterized by the presence of crystalline inclusions, and can not be applied for the microrelief structures for recording information on disks-originals. Tabl.: 2. Fig.: 4. Refs: 19 titles.
Ключевые слова [RUS]
неорганический фоторезист, оптическая запись, микрорелъефные структуры.
[UKR]
неорганічний фоторезист, оптичний запис, мікрорельєфні структури.
[ENG]
inorganic photo-resist, optical recording, micro-relief structure.
Ссылки
Файлы 2013-4-1.pdf