IPRI - www.ipri.kiev.ua -  IPRI - www.ipri.kiev.ua -
Title (journal) Data Rec., Storage & Processing. — 2006. — Vol. 8, N 2.
Pages 6-14
PDF,DOC, full text
Title (article) Formation of Relief Microstructures on Silicon Substrates
Authors Kossko I.A., Kryuchin A.A., Pankratovf A.V., Sereda L.D., Sereda I.V.
Kiev, Ukraine
Annotation An opportunity of obtaining relief microstructures on silicon substrates is considered. It is shown that obtained relief microstructures can be used for recording, replication and information storage both in digital and analog form. For obtaining microstructures an electron-beam lithography technique is used. Fig.: 4. Refs: 12 titles.
Key words relief microstructures, electron-beam lithography, chemical etching.
References 1. Косско И.А., Крючин А.А., Кравец В.Г., Мохнюк А.А., Оберемок А.С. Формирование инфо-рмационного рельефа в некоторых неметаллических материалах // Реєстрація, зберігання і оброб. даних — 2006. — Т. 8, № 1. — С. 3–8.
2. Bifano T.G., Fawcett H.E., Bierden P.A. Precision Manufacture of Optical Disc Master Stampers // Precision Engineers. — 1997, Jan. — Vol. 20, N 1. — P. 54–62.
3. Bifano T.G., Fawcett H.E., T.Drueding T. Neutral Ion Figuring of Chemically Vapor Deposited Silicon Carbide // Opt. Eng. —1994. — 33. — P. 967–974.
4. Egert C.M. Roughness Evolution of Optical Materials Induced by Ion beam Milling // Proc. SPIE. — 1992. — P. 1752.
5. Drueding T.W., Wilson S., Fawcett S.C., Bifano T.G. Ion Beam Figuring of Small Optical Com-ponents // Opt. Eng. — 1995. — 34. — P. 3565–3571.
6. Hou Q.R., Gao J., Li S.J. Adhesion and іts Influence on Micro-Hardness of DLC and SiC Films // Eur. Phys. J. B. — 1999. — Vol. 8, N 4. — P. 493–496.
7. Craciun Valentin, Lambers Eric, Bassim Nabil D., Baney Ronald H., Singh Rajiv K. Growth of Dense SiC Films on Si at Medium Temperatures by Pulsed Laser Deposition // J. Vac. Sci. and Technol. A. — 2001. — Vol. 19, N 5. — P. 2691–2694.
8. Stoldt C.R., Fritz M.C., Carraro C. Maboudian R Micromechanical Properties of Silicon-Carbide thin Films Deposited Using Single-Source Chemical-Vapor Deposition // Appl. Phys. Lett. —2001. — Vol. 79, N 3. — P. 347–349.
9. Zheng Zhixiang, Guisuanyuan Xuebao // J. Chin. Ceram. Soc. — 1995. — Vol. 23, N 5. — P. 550–554.
10. Knotek O. On Superstoichiometric Ti-C, Si-Cand Ta-C PVD Coatings / Abstr. Mater. Res. Soc. Fall. Meet. — Boston (Mass). — Nov, 27. — Dec. 1. — 1995. — P. 14.7.
11. Burte E., Horner A. Substrat und Verfahren zur Herstellung Einer Siliziumkarbidbeschichtung auf Einem Substrat: 197406101 Fraunhofer-Gesellschaft zur Forderung der angewandten Forschung eV. — N 19740610.6; Заявл. 12.9.97; Опубл. 18.3.99 г.
12. Оберемок А.С., Косско И.А., Крючин А.А. Артефакты высокочастотного распыления при формировании информационного рельефа в стеклах // Оптико-електронні інформаційно-енерге-тичні технології. — 2006. — № 1(11). — C. 107–114.
File paper-novaja.doc