IPRI - www.ipri.kiev.ua -  IPRI - www.ipri.kiev.ua -
Раздел [RUS]
Регистрация, хранение и обраб. данных. — 2008. — Т. 10, № 2.
[UKR]
Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2008. — Т. 10, № 2.
[ENG]
Data Rec., Storage & Processing. — 2008. — Vol. 10, N 2.
Страницы 32-36
PDF,DOC, full text
Заглавие [RUS]
Установка для исследования процессов жидкостного травления пленочных объектов — сред для голографии и оптической записи информации
[UKR]
Установка для дослідження процесів рідинного травлення неорганічних резистів — середовищ для голографії та оптичного запису інформації
[ENG]
Apparatus for Investigation of Liquid Etching Processes of Film Objects — Media for Holog-raphy and Optical Information Recording
Авторы [RUS]
Тарнай А.А., Кириленко В.К., Рубиш В.М., Гера Э.В.
[UKR]
А. А. Тарнай, В. К. Кириленко, В. М. Рубіш, Е. В. Гера
[ENG]
Tarnaj A.A., Kyrylenko V.K., Rubish V.M., Gera E.V.
Kiev, Ukraine
Аннотация [RUS]
Разработана установка для исследования кинетики жидкостного травления тонких пленок халькогенидных стеклообразных материалов (неорганических резистов) и получения информаци-онного микрорельефа в статическом, динамическом с циркуляцией и динамическом с утилизацией травителя режимах в интервале температур 293–253 К. Ил.: 4. Библиогр.: 10 наим.
[UKR]
Розроблено установку для дослідження кінетики рідинного травлення тонких плівок халькогенідних склоподібних матеріалів (неорганічних резистів) і одержання інформаційного мікрорельєфу в статичному, динамічному з циркуляцією та динамічному з утилізацією травника режимах в інтервалі температур 293–353 K.
[ENG]
An apparatus for investigations of liquid etching kinetics of thin chalcogenide vitreous films (inor-ganic resist) in static, dynamic with circulation and dynamic with utilization of the etchant, modes in the temperature range of 293–353 K and obtaining an information microrelief is developed. Fig.: 4. Refs.: 10 titles.
Ключевые слова [RUS]
неорганический резист, жидкостное травление, скорость растворения, микрорельеф.
[UKR]
неорганічні резисти, рідинне травлення, швидкість розчинення, мікрорельєф.
[ENG]
inorganic resist, liquid etching, dissolving rate, microrelief.
Ссылки 1. Семак Д.Г., Різак В.М., Різак І.М. Фототермоструктурні перетворення халькогенідів. — Ужгород: Закарпаття, 1999. — 392 с.
2. Петров В.В., Крючин А.А., Шанойло С.М., Костюкевич С.А., Кравец В.Г., Лапчук А.С. Оп-тические диски: история, состояние, перспективы развития. — К.: Наук. думка, 2003. — 176 с.
3. Teteris J., Reinfelde M. Application of Amorphous Chalcogenide Semiconductor Thin Films in Optical Recording Technologies // J. of Optoelectronics and Advanced Materials. — 2003. — Vol. 5, N 5. — P. 1355–1360.
4. Петров В.В., Крючин А.А., Костюкевич С.О., Рубіш В.М. Неорганічна фотолітографія. — К.: ІМФ НАНУ, 2007. — 195 с.
5. Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированные процессы в халько-генидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. — К.: Академперио-дика, 2007. — 283 с.
6. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. — М.: Наука, 1973. — 721 с.
7. Пинзеник В.П., Фролова Н.П., Туряница И.И. Селективное травление светочувствительных слоев систем As(Ge)–S(Se) // Некристал. полупроводники. — Ужгород: Патент, 1989. — Ч. 1. — С. 228–230.
8. Пинзеник В.П., Фролова Н.П., Туряница И.И. Фотоиндуцированные изменения в слоях ха-лькогенидных стеклообразных полупроводников и параметры селективного растворения // Успехи научной фотографи. — 1990. — Т. 26. — С. 50–52.
9. Mednikarov B.D. Vacuum deposited As2Se3 — Photoresist. Some Properties and Outlooks // Bulgarian Chemical Communs, 1993. — Vol. 26, N 3/4. — P. 502–513.
10. Зенкин С.А., Мамедов С.Б., Михайлов М.Д. и др. Механизм взаимодействия монолитных стекол и аморфных пленок системы As–S с растворами аминов // Физ. и химия стекла. — 1997. — Т. 23, № 5. — С. 560–568.
Файлы statja.doc