IPRI - www.ipri.kiev.ua -  IPRI - www.ipri.kiev.ua -
Раздел [RUS]
Регистрация, хранение и обраб. данных. — 2008. — Т. 10, № 4.
[UKR]
Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2008. — Т. 10, № 4.
[ENG]
Data Rec., Storage & Processing. — 2008. — Vol. 10, N 4.
Страницы 37-46
PDF,DOC, full text
Заглавие [RUS]
Подходы к физическому моделированию резонансно-туннельных диодов
[UKR]
Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів
[ENG]
Approaches to the Resonant-Tunneling Diodes Physical Simulation
Авторы [RUS]
Свирин П.В.
[UKR]
П. В. Свірін
[ENG]
Svirin P.V.
Kiev, Ukraine
Аннотация [RUS]
Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и ре-зонансно-туннельных диодов (РТД). Сделан обзор физических моделей РТД. Описаны принципы работы РТД. Приведено сравнение физических моделей. Табл.: 1. Ил.: 4. Библиогр.: 28 наим.
[UKR]
Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізич-них моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей.
[ENG]
Approaches to the physical simulation of resonant-tunneling effect and the simulation of resonant-tunneling diodes (RTD) are considered. The RTD principles of operation are described. An overview of the RTD physical models and their comparison are made. Tabl.: 1. Fig.: 4. Refs: 28 titles.
Ключевые слова [RUS]
резонансно-туннельный эффект, резонансно-туннельный диод, РТД, модели.
[UKR]
резонансно-тунельний ефект, резонансно-тунельний діод, моделі.
[ENG]
resonant-tunneling effect, resonant-tunneling diode, models.
Ссылки 1. Петренко А.І. Моделювання резонансно-тунельного діоду / А.І. Петренко, Свірін П.В. // «Электроника и связь». Тематический выпуск «Проблемы электроники». Ч. 2. — 2005. — С. 116–119.
2. Иогансен Л.В. // ЖЭТФ. — 50, 709 (1966); 45, 207 (1963); 47, 270 (1964).
3. Тиходеев Ю.С. Электронная техника. Сер. 2 // Полупроводниковые приборы. — Вып. 1(73) / Тиходеев Ю.С. — 1973. — С. 3.
4. Brown E.R. Resonant Tunneling in High-Speed Double-Barrier Diodes / E.R. Brown. —Academic Press, 1992. — Р. 469–498 (Hot Еlectrons in Semiconductor Nanostructures, Physics and App-lications).
5. Chow D.H. Investigations of In0:53Ga0:47As/AlAs Resonant Tunneling Diodes for High Speed Switching / D.H. Chow, J.N. Schulman, E. Ozbay, D.M. Bloom // Applied Physics Letters. — October, 5. — 1992. — Vol. 61, N 14. — Р. 1685–1687.
6. Chevoir F. Calculation of Phonon-Assisted Tunneling and Valley Current in a Double-Barrier Diode / F. Chevoir, B. Vinter // Applied Physics Letters. — 1989. — Vol. 55, N 18. — P. 1859–1861.
7. Goldman V.J. Evidence of LO-Phonon Emission-Assisted Tunneling in Double-Barrier Heterostruсtures / V.J. Goldman, D.C. Tsui, J.E. Cunningham // Physical Review B (Condensed Matter) — 1987. — Vol. 36, N 4. — Р. 7635–7637.
8. Mendez E.E. Resonant Tunneling Via X-Point States in AlAs–GaAs–AlAs Heterostructures / E.E. Mendez, W.I. Wang, C.E.T. Goncalves da Silva // Applied Physics Letters. — 1987. — Vol. 50, N 18. — Р. 1263–1265.
9. Seabaugh A.C. Co-Integrated Resonant Tunneling and Heterojunction Bipolar Transistor Full Adder: International Electron Devices Meeting Technical Digest / A.C. Seabaugh, A.H. Taddiken, E.A. Beam III, J.N. Randall, Y.C. Kao, B. Newell. — Washington, DC, 1993 — P. 419–422.
10. Обухов И.А. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах / Обухов И.А. — Севастополь: «Вебер», 2005. — 226 с.
11. Ye Q.Y. Resonant Tunneling Via Microcrystalline Silicon Quantum Confinement / Q.Y. Ye, R. Tsu, E.H. Nicollian // Phys. Rev. B. — 1991. — Vol. 44. — P. 1806.
12. Schrodinger E. Quantisierung als Eigenwertproblem / E. Schrodinger // Annalen der Physik — 1926. — N 79 — P. 361–376.
13. Mains R.K. Improved Boundary Conditions for the Time-Dependent Schrodinger Equation. / R.K. Mains, G.I. Haddad // Journal of Applied Physics — 1990. — Vol.1, N 67. — Р. 591–593.
14. Yalabik M.C. Some Ad-Hoc Methods for Introducing Dissipation to the Schrodinger Equation: Proceedings of a NATO Advanced Workshop on Science and Engineering of One- and Zero-Dimensional Semiconductors, Cadiz, Spain, Mar. 29-Apr. 1 1989 / S. P. Beaumont, C. M. S. Torres, editors. — NATO Scientific Affairs Division, 1989 — P. 83–89.
15. Tsu R. Tunneling in a Finite Superlattice. / R. Tsu, L. Esaki // Applied Physics Letters. — 1973. — Vol. 11, N 22. — P. 562–564.
16. Frensley W.R. Wigner-Function Model of a Resonant-Tunneling Semiconductor Device / W.R. Frensley // Physical Review B. — 1987. — Vol. 3, N 36. — P. 1570–1580.
17. Wigner E. On the Quantum Corrections for Thermodynamic Equilibrium / E. Wigner // Physical Review — 1932. — N 40. — P. 749–759.
18. Frensley W.R. Simulation of Resonant-Tunneling Heterostructure Devices / W.R. Frensley // Journal of Vacuum Science and Technology B. — 1985. — Vol. 4, N 3. — P. 1261–1266.
19. Kadanoff L.P. Quantum Statistical Mechanics / L.P. Kadanoff, G.Baym. — Benjamin/Cummings, Reading, MA, 1962.
20. Jauho P. Nonequilibrium Green Function Techniques Applied to Hot Electron Quantum Transport / P. Jauho // Solid State Electronics — 1989. — N 32(12) — P. 1265–1271.
21. Lake R. High-Bias Quantum Electron Transport / R. Lake, S. Datta // Superlattices and Microstructures — 1992. — N 11(1). — P. 83–87.
22. Frensley W.R. Boundary Conditions for Open Quantum Systems Driven Far from Equilibrium / W.R. Frensley // Reviews of Modern Physics — 1990. — N 62(3). — P. 745–791.
23. Jensen K.L. The Methodology of Simulating Particle Trajectories Through Tunneling Structures Using a Wigner Distribution Approach / K.L. Jensen, F.A. Buot // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1991. — N 38(10). — P. 2337–2347.
24. Buot F.A. Lattice Weyl-Wigner Formulation of Exact Manybody Quantum-Transport Theory and Applications to Novel Solid-State Quantumbased Devices / F. A. Buot, K. L. Jensen // Physical Review B. — 1990. — N 42(15). — P. 9429–9457.
25. Baym G. Lectures on Quantum Mechanics / G. Baym. — Menlo Park, CA: Benjamin/Cummings, 1973.
26. Gardiner W. Quantum Noise and Quantum Langevin Equations / W. Gardiner // IBM Journal of Research and Development. — 1988. — N 32(1). — P. 127–136.
27. Gloesekotter P. Circuit and Application Aspects of Tunneling Devices in a MOBILE Configuration / P. Gloesekotter, C. Pacha, K.F. Goser, W. Prost, S.O. Kim, H. van Husen, T. Reimann, F.J. Tegude // International Journal of Circuit Theory and Applications. — 2003. — Vol. 31, N.1.
28. Nikolic K. Relative Performance of Three Nanoscale Devices — CMOS, RTDs and QCAs — Against a Standard Computing Task / K Nikolic, D Berzon, M. Forshaw // Nanotechnology. — 2001. — N 12. — Р. 38–43.
Файлы article_models_overview_10_1a.doc